logo

Coinspot 18.01.2021

BTC/USD

35933.76

ETH/USD

1240.20

LTC/USD

143.49

НБУ 18.01.2021

USD/UAH

28.35

EUR/UAH

34.25

RUB/UAH

0.40

comment

Рубрики

comment

МЕНЮ

Главная Новости IT технологии В Техасе разработали супермаленькое запоминающее устройство
commentss НОВОСТИ Все новости

В Техасе разработали супермаленькое запоминающее устройство

Инновационное запоминающее устройство обещает производительность около 25 терабит на квадратный сантиметр

24 ноября 2020, 13:35
Более быстрые, компактные, "умные" и более энергоэффективные микросхемы для всего, от бытовой электроники до больших данных и интеллектуальных вычислений, вскоре могут появиться в продаже после того, как инженеры Техасского университета в Остине создали самое маленькое устройство памяти. И в процессе они выяснили физическую динамику, которая открывает возможности плотного хранения памяти для этих крошечных устройств.
Исследование, опубликованное недавно в Nature Nanotechnology, основано на открытии двухлетней давности, когда исследователи создали то, что на тот момент было самым тонким запоминающим устройством. В этой новой работе исследователи еще больше уменьшили размер, уменьшив площадь поперечного сечения до одного квадратного нанометра.
Освоение физики этих устройств позволило сделать их намного меньше. Дефекты или дыры в материале являются ключом к разблокированию возможности хранения в памяти высокой плотности. Хотя ученые использовали дисульфид молибдена, также известный как MoS2, в качестве основного наноматериала в своем исследовании, исследователи считают, что это открытие можно применить к сотням связанных атомарно тонких материалов.
Устройство относится к категории мемристоров, популярной области исследований памяти, сосредоточенной на электрических компонентах с возможностью изменять сопротивление между двумя его выводами без необходимости в третьем выводе в середине, известном как затвор. Это означает, что они могут быть меньше, чем сегодняшние устройства памяти, и иметь большую емкость.
Эта версия мемристора, разработанная с использованием новейшего оборудования в Окриджской национальной лаборатории, обещает производительность около 25 терабит на квадратный сантиметр. Это в 100 раз более высокая плотность памяти на слой по сравнению с имеющимися в продаже устройствами флэш-памяти.

В Техасе разработали супермаленькое запоминающее устройство

ФОТО: UT News


Читайте Комментарии в Google News

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы первыми узнать о самых важных событиях!


Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
comments

Обусуждения

comments

Новости партнеров

comments.ua

Новости

Подписывайтесь на уведомления, чтобы быть в курсе последних новостей!